特許
J-GLOBAL ID：200903097079671265

SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法

発明者：
斎藤 広明

斎藤 広明 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-103838
公開番号（公開出願番号）：特開2008-260650
出願日： 2007年04月11日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】異形ポリタイプの混入がなく、また、表面欠陥が少ないか又は全くなく、さらには残留不純物密度のより少ないSiC単結晶エピタキシャル薄膜を高速で成長させる方法を提供する。【解決手段】六方晶系SiC単結晶基板の(0001)Si面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比(C/Si比)が0.20以上0.75未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのSiC単結晶をエピタキシャル成長させる。また、エピタキシャル成長は、20kPa以下の減圧下で行なう。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
六方晶系SiC単結晶基板の(0001)Si面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比(C/Si比)が0.20以上0.75未満の原料ガスを導入することにより、前記基板と同じポリタイプのSiC単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする、SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
Fターム (28件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC08 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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