特許
J-GLOBAL ID：200903010886174200

低オフアクシスSiCウエハ上のSiCのホモエピタキシャル成長

発明者：
アレクサンダー エリソン

アレクサンダー エリソン について

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クリスター ハリン

クリスター ハリン について

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ビョルン マグヌッソン

ビョルン マグヌッソン について

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パイダー バーグマン

パイダー バーグマン について


出願人/特許権者：
ノーステル エービー

ノーステル エービー について


代理人 (1件)： 藤田 アキラ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-208524
公開番号（公開出願番号）：特開2006-028016
出願日： 2005年07月19日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 1度未満のオフアクシス角を有するSiC基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。【解決手段】 SiC基板上に当該基板と同じポリタイプのSiCホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記SiC基板の表面上に成長させるステップと、1μmまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が(0001)基底面に対して0.1度より大きいが1度未満の角度で傾斜している方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
SiC基板上に当該基板と同じポリタイプのSiCホモエピタキシャル層を作製する方法であって、 -前記層を前記SiC基板の表面上に成長させるステップと、 -1μmまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、 上記成長ステップでは前記表面が(0001)基底面に対して0.1度より大きいが1度未満の角度で傾斜している方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205
Fターム (31件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077FC04 ,  4G077FD02 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045DA52
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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