特許

J-GLOBAL ID：200903010886174200

低オフアクシスSiCウエハ上のSiCのホモエピタキシャル成長

発明者： アレクサンダー エリソン ,  クリスター ハリン ,  ビョルン マグヌッソン ,  パイダー バーグマン
出願人/特許権者： ノーステル エービー
代理人 (1件)： 藤田 アキラ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-208524
公開番号（公開出願番号）：特開2006-028016
出願日： 2005年07月19日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 1度未満のオフアクシス角を有するSiC基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。【解決手段】 SiC基板上に当該基板と同じポリタイプのSiCホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記SiC基板の表面上に成長させるステップと、1μmまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が(0001)基底面に対して0.1度より大きいが1度未満の角度で傾斜している方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

SiC基板上に当該基板と同じポリタイプのSiCホモエピタキシャル層を作製する方法であって、 -前記層を前記SiC基板の表面上に成長させるステップと、 -1μmまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、 上記成長ステップでは前記表面が(0001)基底面に対して0.1度より大きいが1度未満の角度で傾斜している方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205

Fターム (31件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077FC04 ,  4G077FD02 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045DA52

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 米国特許第4,912,064号明細書
  
• 米国特許第5,011,549号明細書
  
• 米国特許第6,329,088号明細書
  
• 米国特許第6,641,938号明細書
  
• 米国特許第5,248,385号明細書
  

審査官引用 (5件)

• SiC単結晶薄膜の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-080254   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開平2-283697
  
• 炭化珪素バルク単結晶の製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-347316   出願人：シャープ株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-075775   出願人：株式会社デンソー
• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-127471   出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "High-quality SiC epitaxial layers and low-dimensional heteropolytypic SiC structures grown by solid