特許
J-GLOBAL ID:200903097096297792
塗布処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 俊夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-307889
公開番号(公開出願番号):特開2000-124120
出願日: 1998年10月14日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】 レジストや現像液を適切な温度で基板に塗布すること。またレジストと現像液との反応により起こる発熱または吸熱の影響をできるだけ小さくして、現像に適した温度で基板面内温度分布をできるだけ均一に保ちながら現像処理を行うこと。【解決手段】 塗布液を基板の表面に供給する前から、基板及び処理雰囲気からの吸熱による塗布液の温度上昇あるいは塗布液の放熱による塗布液の温度低下を抑制し得るように載置台を温度制御する。また現像処理中にレジスト膜と現像液との反応により起こる発熱または吸熱によるウエハWの温度変化を抑制し得るような温度分布をなすように、載置台3に内蔵された温度調整部32を調整して載置台3を冷却または加熱し、現像処理中にウエハWの温度が高くなり過ぎたり、または低くなり過ぎるのを抑えると共にウエハWの面内温度分布の不均一性を緩和する。
請求項(抜粋):
温度制御可能であり、処理対象となる基板よりも大きいかまたは基板よりも小さいがそれに近いサイズの載置台に基板を載置する工程と、前記基板の表面に、塗布液を塗布する工程と、前記塗布液を前記基板の表面に供給する前から、基板及び処理雰囲気からの吸熱による塗布液の温度上昇を抑制し得るようにまたは塗布液の放熱による塗布液の温度低下を抑制し得るように温度制御された前記載置台を介して前記基板の温度を調整する工程と、を含むことを特徴とする塗布処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, B05D 1/40
, B05D 3/00
FI (4件):
H01L 21/30 569 C
, B05D 1/40 A
, B05D 3/00 D
, H01L 21/30 564 C
Fターム (10件):
4D075AC64
, 4D075AC96
, 4D075DA08
, 4D075DC22
, 5F046JA02
, 5F046JA10
, 5F046JA24
, 5F046LA04
, 5F046LA05
, 5F046LA13
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平1-107867
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処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-187791
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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現像処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-138739
出願人:株式会社東芝
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