特許
J-GLOBAL ID：200903097152446070
金属ベース半導体回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037653
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340973
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 外部端子との接合部の平坦性が良い、温度変化での形状変化が小さい、マザーボードへの実装性が良好である、半田リフロー時における赤外線吸収性が改善されている、メッキレジスト性がある、接続信頼性が高いなどの特性を有する金属ベース半導体回路基板とその製造方法の提供。【解決手段】 ポリイミド層を絶縁体とする金属ベース半導体回路基板のベース金属裏面上に特定の物性を有するポリイミド層を積層する。ここでは(a)熱可塑性ポリイミド(1)の層、非熱可塑性ポリイミドの層を順にベース金属上に積層する、(b)熱可塑性ポリイミド(1)の層、非熱可塑性ポリイミドの層、熱可塑性ポリイミド(2)の層を順にベース金属上に積層する、(c)非熱可塑性ポリイミドの層をベース金属上に積層する、(d)熱可塑性ポリイミド(2)の層をベース金属上に積層する、の4つの積層方法が用いられる。
請求項（抜粋）：
ベース金属の表面に誘電体としてポリイミド層を用い、その上に半導体搭載用回路を形成した金属ベース半導体回路基板に於いて、ベース金属の裏面上にガラス転移温度が120°C以上、300°C以下であり、ガラス転移温度+30°Cでの弾性率がガラス転移温度での弾性率の1/100以下である熱可塑性ポリイミド(1)の層、ガラス転移温度が200°C以上であり、ガラス転移温度+30°Cでの弾性率がガラス転移温度での弾性率の1/10より大きく、そのポリイミド単独の25μm厚みのフィルムの伸び率が20%以上である非熱可塑性ポリイミドの層を順に積層してなることを特徴とする金属ベース半導体回路基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H05K 1/03 630
, H05K 1/05
H01L 23/12 N
, H05K 1/03 630 G
, H05K 1/05 A
