特許
J-GLOBAL ID：200903097169365031
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352704
公開番号（公開出願番号）：特開平10-171096
出願日： 1996年12月14日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 露光波長の短波長化(100nm〜250nm)に対応しうるハーフトーン型位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクスを提供する。【解決手段】 ハーフトーン型位相シフトマスクにおける位相シフター部3が、少なくとも珪素、炭素、窒素を主たる構成要素とし、Si-C結合、Si-N結合、C-N結合、Si-C-N結合、C-Si-N結合、及びSi-N-C結合を複合的に含有する材料からなる。
請求項（抜粋）：
微細パターンの露光、転写を施す際に用いる転写マスクであって、露光光を透過させる光透過部と、該光透過部を通過した光に対して光の位相を所定量シフトさせる位相シフター部とを有し、前記光透過部と位相シフター部との境界部近傍にて各々を透過した光が互いに打ち消し合うように光学特性を設計することで、被露光体表面に転写されるパターン境界部コントラストを良好に保持、改善できるようにした位相シフトマスクにおいて、前記位相シフター部が光透過部に対して光の位相を所定量だけシフトさせる厚さを有するとともに、前記位相シフター部が露光光に対して所定量の光透過率を有し、かつ、位相シフター部の構成成分が少なくとも珪素、炭素、窒素を主たる構成要素とし、Si-C結合、Si-N結合、C-N結合、Si-C-N結合、C-Si-N結合、及びSi-N-C結合を同時に含有する材料からなることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
