光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233846
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079554
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】活性層とクラッド層との間のエネルギー障壁を高くして、電子のオーバーフローをなくすこと。【解決手段】活性層3とp型第1上クラッド層4aとの間に、(Alx Ga(1-x) )0.5In0.5 P(x=0.7)層10aと(Alx Ga(1-x) )0.5In0.5P(x=1.0)層10bとを交互に積層してなる超格子障壁層10を配置するようにした。

請求項（抜粋）：

第1導電型クラッド層と、第2導電型クラッド層と、上記第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層との間に配置された半導体からなる活性層と、上記第2導電型クラッド層と活性層との間に配置された、バンドギャップエネルギーが上記活性層よりも大きい第1の化合物半導体と,該第1の化合物半導体に対して伝導帯のエネルギー差ΔEC が小さくかつ価電子帯のエネルギー差ΔEV が大きい第2の化合物半導体とを,交互に1対以上重ね合わせてなる超格子構造を有する第2導電型の超格子障壁層とを備えたことを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体レーザー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-231213 出願人：富士ゼロツクス株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-189404 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-157740 出願人：富士ゼロックス株式会社, 白木靖寛

前のページに戻る