特許

J-GLOBAL ID：200903097226850405

Siウェーハの前処理方法及び半導体ウェーハ

発明者： 山口 健志 ,  水嶋 一樹 ,  塩野 一郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241620
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057108
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 Siウェーハの前処理方法及び半導体ウェーハにおいて、エピタキシャル成長前処理において、ウェット洗浄により輝点数増加を少なくすること。【解決手段】 Siウェーハ表面に半導体薄膜をエピタキシャル成長する前に行うSiウェーハの前処理方法であって、前記Siウェーハをフッ酸溶液で洗浄する工程を有し、前記フッ酸溶液を、フッ酸濃度が0.05%から0.3%までの間にする。

請求項（抜粋）：

Siウェーハ表面に半導体薄膜をエピタキシャル成長する前に行うSiウェーハの前処理方法であって、前記Siウェーハをフッ酸溶液で洗浄する工程を有し、前記フッ酸溶液は、フッ酸濃度が0.05%から0.3%までの間であることを特徴とするSiウェーハの前処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/06 C ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/306 B

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077BE05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE04 ,  5F043AA02 ,  5F043BB27 ,  5F043BB28 ,  5F043DD02 ,  5F043DD10 ,  5F043GG10 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD13 ,  5F045BB14 ,  5F045HA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-190130
  
• 半導体基板の表面処理液、この処理液を用いた表面処理方法及び表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-050976   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-281543   出願人：日本電気株式会社
• Si-Ge薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-013465   出願人：沖電気工業株式会社