研磨剤および研磨方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小田島平吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003889
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208451
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】研磨対象に対して耐スクラッチ性及び研磨能率が高く、しかも研磨対象に対する汚染の少ない高純度の研磨剤を提供する。【解決手段】水と該水に分散したシリカ粒子とよりなる研磨剤において、該シリカ粒子が平均一次粒子径50〜300nmであり、屈折率1.41〜1.44であり、例えば、液相中で合成され且つ乾燥工程を経ずに製造されたものであり、K値が5×10-6mol/m2以上である研磨剤、およびその研磨剤を用いた半導体ウェハの研磨方法。

請求項（抜粋）：

平均一次粒子径が50〜300nmであり、かつ屈折率が1.41〜1.44であるシリカ粒子を水に分散したことを特徴とする研磨剤。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 B , B24B 37/00 H

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリカ分散液及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-242380 出願人：株式会社トクヤマ
ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-009932 出願人：日本電気株式会社
研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-044316 出願人：株式会社東芝

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