特許
J-GLOBAL ID:200903097270352951
多層回路基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-063751
公開番号(公開出願番号):特開2006-253189
出願日: 2005年03月08日
公開日(公表日): 2006年09月21日
要約:
【課題】 ビアの乗り換えに伴う信号伝送距離の延長を回避しながら、ビアへの応力を低減させることができ、結果としてビアの接続信頼性の高い多層回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜6としてデスミア液によりエッチングされやすい膜を形成し、絶縁膜7としてデスミア液にほとんどエッチングされない膜を形成する。レーザ照射により絶縁膜6及び7にビアホール8を形成する。ビアホール8の断面形状はレーザ照射の影響によりテーパ状となる。デスミア液を用いてビアホール8の形成の際に発生したスミアを除去する際に、絶縁膜6のビアホール8に露出している部分もエッチングされることで、絶縁膜6の側面が後退し、ビアホール8の形状が鼓状となる。その後、無電解めっき法によりCuシード層をビアホール8内に形成する。その後、絶縁膜6及び7のキュアを行う。続いて、電解めっき法によりCuビア9をビアホール8内に埋め込む。【選択図】 図1E
請求項(抜粋):
絶縁材料部及び配線材料部を含む複数の配線層が積層されて構成された多層回路基板において、
各配線層を相互に電気的に接続するビアの形状が、当該ビアの上端及び下端よりも該ビアの中央部位が狭い鼓状になっていることを特徴とする多層回路基板。
IPC (3件):
H05K 3/46
, B05D 5/12
, H05K 3/40
FI (5件):
H05K3/46 N
, H05K3/46 B
, H05K3/46 T
, B05D5/12 D
, H05K3/40 K
Fターム (49件):
4D075AE03
, 4D075BB08Y
, 4D075BB25Y
, 4D075BB26Z
, 4D075BB63Y
, 4D075BB68Y
, 4D075CA23
, 4D075CA44
, 4D075DA06
, 4D075DB06
, 4D075DB64
, 4D075DC19
, 4D075DC21
, 4D075EA07
, 4D075EA17
, 4D075EB07
, 4D075EB13
, 4D075EB15
, 4D075EB32
, 4D075EB33
, 4D075EB35
, 4D075EB38
, 4D075EB43
, 5E317AA25
, 5E317AA26
, 5E317BB12
, 5E317CC25
, 5E317CC33
, 5E317CD27
, 5E317CD32
, 5E317GG09
, 5E346AA06
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA22
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346BB15
, 5E346BB16
, 5E346CC01
, 5E346DD22
, 5E346FF03
, 5E346FF04
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG28
, 5E346HH01
, 5E346HH06
, 5E346HH11
引用特許:
出願人引用 (3件)
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特許第3004266号公報
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多層配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-253557
出願人:日東電工株式会社
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国際公開第97/19579号パンフレット
審査官引用 (12件)
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