特許

J-GLOBAL ID：200903097277870303

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 細谷 啓司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-230126
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071881
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】磁化反転しきい値の上昇の抑制、及び磁化反転しきい値の変動幅の拡大をともに抑えることができ、また、微細化も可能となる磁気抵抗効果素子を有する半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】第1方向Xに延びる第1の配線(1)と、第1方向Xに交差する第2方向Yに延びる第2の配線(2)と、少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層を含む磁気抵抗効果素子(3)とを具備する。そして、磁気抵抗効果素子3の平面形状を、第1の配線(1)と第2の配線(2)との交差部の平面形状に一致させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1方向に延びる第1の配線と、 前記第1方向に交差する第2方向に延びる第2の配線と、 少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層を含む磁気抵抗効果素子とを具備し、 前記磁気抵抗効果素子の平面形状は、前記第1の配線と前記第2の配線との交差部の平面形状に一致することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083NA01 ,  5F083PR04 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気ランダム・アクセス・メモリ及びその磁気情報書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346111   出願人：富士通株式会社
• 磁気ランダムアクセスメモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-058098   出願人：富士通株式会社
• 固体メモリおよびメモリ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312782   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー