特許

J-GLOBAL ID：200903097300328082

レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法

発明者： 安部 幸次郎 ,  福田 秀樹 ,  阿部 久起 ,  丸山 岳人
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060219
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258924
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】無機質基体上に塗布されたレジスト膜、エッチング後に残存するレジストおよびレジスト残渣を短時間で容易に剥離でき、その際、各種半導体層材料、配線材料、絶縁膜等を全く腐食せず、更に、リンス液としてアルコールのような有機溶媒を使用する必要がなく水のみでリンスすることができるレジスト剥離液を提供すること。【解決手段】(a)酸化剤、(b)キレート剤、(c)水溶性フッ素化合物、および必要に応じて(d)有機溶剤を含有する水溶液からなるレジスト剥離液および該剥離液を用いるレジストの剥離方法。

請求項（抜粋）：

(a)酸化剤、(b)キレート剤および(c)水溶性フッ素化合物を含有する水溶液からなるレジスト剥離液。

IPC (8件)：

G03F 7/42 ,  C09K 3/00 108 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/027 ,  C11D 7:18 ,  C11D 7:34 ,  C11D 7:32 ,  C11D 7:26

FI (4件)：

G03F 7/42 ,  C09K 3/00 108 B ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (16件)：

2H096AA25 ,  2H096CA12 ,  2H096HA23 ,  2H096LA03 ,  2H096LA08 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB03 ,  4H003DC01 ,  4H003EA05 ,  4H003EB24 ,  4H003ED02 ,  4H003EE04 ,  4H003FA07 ,  4H003FA15 ,  5F046MA02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• シリコンウェハ洗浄用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-120776   出願人：関東化学株式会社, 日産化学工業株式会社
• 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094045   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• フォトレジストのストリッピングおよびクリーニング用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-240788   出願人：オリン・マイクロエレクトロニツク・ケミカルズ・インコーポレイテツド
• 半導体表面洗浄剤及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159893   出願人：和光純薬工業株式会社

審査官引用 (4件)

• シリコンウェハ洗浄用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-120776   出願人：関東化学株式会社, 日産化学工業株式会社
• 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094045   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• フォトレジストのストリッピングおよびクリーニング用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-240788   出願人：オリン・マイクロエレクトロニツク・ケミカルズ・インコーポレイテツド
• 半導体表面洗浄剤及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159893   出願人：和光純薬工業株式会社