配線構造及び配線構造の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335067
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201853
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 Al等の配線材料について、エレクトロマイグレーション耐性の大きい配線構造、及びこのような配線構造の形成方法を提供する。【構成】 ?@結晶構造を示す配線材料から成る配線構造において、形成すべき配線層の膜厚T2 よりも厚い膜厚T1 で配線材料層を形成し、所定の膜厚の配線層に加工して、配線層の結晶粒径を膜厚以上の大きさにする。?A結晶構造を示す配線材料を溝内に埋め込んで成る配線構造において、形成すべき配線層の配線幅よりも深い溝を形成して埋め込みを行う。

請求項（抜粋）：

結晶構造を示す配線材料から成る配線構造において、形成すべき配線層の膜厚よりも厚く配線材料層を形成した後、所定の膜厚の配線層に加工することにより、配線層の結晶粒径を膜厚以上の大きさに形成したことを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (5件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/302 F , H01L 21/302 L , H01L 21/88 M , H01L 21/88 D

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開平4-354337
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-060750 出願人：富士通株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-254046 出願人：沖電気工業株式会社

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審査官引用 (13件)

特開平4-354337
特開平4-354337
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-060750 出願人：富士通株式会社

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