特許

J-GLOBAL ID：200903097432280054

ECRプラズマ処理装置

発明者： 阿南 秀利 ,  大坪 徹 ,  上村 隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198331
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045496
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【構成】処理室内に複数の電極を配置し、試料からプラズマ中に流れる交流電流が試料全面にわたり均一となるように、複数の電極に印加する電圧を制御する、または複数の電極にインピーダンス素子を接続する構成とした。【効果】試料を全面にわたりダメージがなく均一にプラズマ処理できる。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室内に電子サイクロトロン共鳴現象を利用してプラズマを発生させ、試料搭載電極に交流電圧を印加して試料の処理を行うECRプラズマ処理装置において、処理室内に複数の電極を配置し、前記各電極に対応して振幅、位相のうち少なくとも一方が異なる交流電圧を印加していることを特徴とするECRプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ECRプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-201689   出願人：日本電気株式会社
• マイクロ波プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-165178   出願人：日本電気株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010090   出願人：三菱電機株式会社
• プラズマ成膜方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-206435   出願人：東京エレクトロン株式会社