特許
J-GLOBAL ID：200903060856508046

プラズマ成膜方法およびその装置

発明者：
小泉 浩治

小泉 浩治 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206435
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036107
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 ECRプラズマ処理により凹部(パターン)の埋め込みを行う場合、例えばアルミニウム配線間に層間絶縁膜であるSiO2 を形成する場合、下地のアルミニウムのスパッタを防止してSiO2 膜中へのアルミニウムの混入を防ぐこと。【構成】 載置台3上のウエハWと対向するように、多数の垂直通路が形成された金属性のコリメータ4を設け、その下方側に、4個の電極5A〜5Dを載置台3の周方向に等間隔に(90度ずつ)配置し、各電極5A〜5Dを夫々交流電源部V5A〜V5Cを介して共通端子に接続する。そして交流電源部V5A〜V5Cの電圧の位相を90度ずつずらしかつ振幅が電圧の周波数よりも低い周波数で変化するようにし、こうして形成された横方向の電界により、コリメータ4を通ったイオンの方向の分散性が良くなり、イオンによるスパッタ効果が低減される。
請求項（抜粋）：
被処理基板が設けられた真空容器内に処理ガスを供給し、電子サイクロトロン共鳴を用いてプラズマ化し、前記被処理基板上に薄膜を形成するプラズマ成膜方法において、前記被処理基板に対して前記プラズマ中のイオンを斜めに入射させるようにしたことを特徴とするプラズマ成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 表面処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-339968   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平3-079771
  • プラズマ処理装置の静電チャック
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197756   出願人：日電アネルバ株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM