特許
J-GLOBAL ID：200903097511590735
シリカ系中空粒子分散体およびその製造方法、ならびにシリカ系中空粒子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大渕 美千栄
, 布施 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-084465
公開番号（公開出願番号）：特開2008-239435
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】有機溶媒中での分散性に優れたシリカ系中空粒子分散体およびその製造方法、ならびにシリカ系中空粒子を提供する。【解決手段】シリカ系中空粒子分散体の製造方法は、下記工程(a)〜(d)を含む。(a)炭酸カルシウム粒子および第1の有機溶媒を含有する分散体に、下記一般式(1)で表される少なくとも1種の化合物及び下記一般式(2)で表される少なくとも1種の化合物を加水分解縮合して、前記炭酸カルシウム粒子を被覆するシリカ系被覆層を形成する工程、(b)前記シリカ系被覆層が形成された炭酸カルシウム粒子から炭酸カルシウムの一部または全部を除去する工程、(c)前記シリカ系被覆層を緻密化してシリカ系中空粒子を得る工程、および(d)前記第1の有機溶媒を第2の有機溶媒に置換する工程Si(OR1)4・・・・・(1)(式中、R1は1価の有機基を示す。)R2Si(OR3)4-d・・・・・(2)(式中、R2、R3は独立して1価の有機基を表し、dは1〜3の整数を示す。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記工程(a)〜(d)を含む、シリカ系中空粒子分散体の製造方法。
(a)炭酸カルシウム粒子および第1の有機溶媒を含有する分散体中で、下記一般式(1)で表される少なくとも1種の化合物及び下記一般式(2)で表される少なくとも1種の化合物を加水分解縮合して、前記炭酸カルシウム粒子を被覆するシリカ系被覆層を形成する工程、
(b)前記シリカ系被覆層が形成された炭酸カルシウム粒子から炭酸カルシウムの一部または全部を除去する工程、
(c)前記シリカ系被覆層を緻密化してシリカ系中空粒子を得る工程、および
(d)前記第1の有機溶媒を第2の有機溶媒に置換する工程
Si(OR1)4 ・・・・・(1)
(式中、R1は1価の有機基を示す。)
R2Si(OR3)4-d ・・・・・(2)
(式中、R2、R3は独立して1価の有機基を表し、dは1〜3の整数を示す。)
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4G072AA28
, 4G072BB16
, 4G072CC02
, 4G072DD06
, 4G072DD07
, 4G072DD08
, 4G072EE07
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH30
, 4G072JJ23
, 4G072JJ30
, 4G072MM01
, 4G072PP11
, 4G072RR12
, 4G072RR20
, 4G072UU30
