特許
J-GLOBAL ID：200903097542213131

シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法

発明者：
永畑 幸雄

永畑 幸雄 について

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泉妻 宏治

泉妻 宏治 について

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藤井 達男

藤井 達男 について

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松田 信也

松田 信也 について


出願人/特許権者：
コバレントマテリアル株式会社

コバレントマテリアル株式会社 について


代理人 (4件)： 松山 允之 ,  河西 祐一 ,  池上 徹真 ,  須藤 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-086480
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266125
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】 半導体デバイス製造の熱応力に極めて強く、ウェーハの塑性変形あるいはウェーハ割れを抑制するシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】 シリコンエピタキシャルウェーハ10は、下地シリコンウェーハ11とその表面に形成されたエピタキシャル層12を有する。ここで、下地シリコンウェーハ11は、高濃度のドーパントを含有する単結晶シリコンバルク部11aと、該単結晶シリコンバルク部11aより抵抗率の高い単結晶シリコン表面部11bおよび単結晶シリコン裏面部11cから構成される。このようにして、例えば、フラッシュランプアニール、レーザスパイクアニール等の低サーマルバジェットの熱処理において、その熱応力起因のスリップ転位発生あるいはウェーハ割れ等は安定して大幅に抑制される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下地シリコンウェーハの内部からその表面および裏面に向かって高くなる抵抗率の分布をもつ下地シリコンウェーハと、 前記下地シリコンウェーハの表面に形成されたエピタキシャル層と、 を有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L21/20
Fターム (19件)：
5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045AF16 ,  5F045AF17 ,  5F045BB13 ,  5F045EB15 ,  5F045HA06 ,  5F152LL03 ,  5F152MM04 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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