特許
J-GLOBAL ID：200903070466394444
多結晶シリコン還元炉及び多結晶シリコンロッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-021144
公開番号（公開出願番号）：特開2006-206387
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコン還元炉及び多結晶シリコンロッドを提供すること。【解決手段】 密閉された反応炉の炉台11に、立設された複数のシリコン芯棒13と、原料ガスを供給する導入口15と、反応後のガスを排気する排気口16を有し、シリコン芯棒が、下記の条件(1)から(3)のうちの少なくとも1つを満たすように配置されている。(1)シリコン芯棒と隣接配置された導入口が2箇所である場合、該2箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、135°以上。(2)N箇所(N≧3)である場合、該N箇所のうちの2箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、160°以上。(3)N箇所(N≧3)である場合、該N箇所のうちの互いに隣り合う2箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで240/N°以上480/N°以下。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
密閉された反応炉の底部に、立設された複数のシリコン芯棒と、原料ガスを供給する導入口と、反応後のガスを排気する排気口を有する多結晶シリコン還元炉において、
前記シリコン芯棒が、下記の条件(1)から(3)のうちの少なくとも1つを満たすように配置されていることを特徴とする多結晶シリコン還元炉。
(1)前記シリコン芯棒と隣接して配置された前記導入口が2箇所である場合、該2箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、135°以上である。
(2)前記シリコン芯棒と隣接して配置された前記導入口がN箇所(N≧3)である場合、該N箇所の導入口のうちのいずれか2箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、160°以上である。
(3)前記シリコン芯棒と隣接して配置された前記導入口がN箇所(N≧3)である場合、該N箇所の導入口のうちの互いに隣り合う2箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、すべての組み合わせで240/N°以上480/N°以下である。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG02
, 4G072GG04
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072MM01
, 4G072NN01
, 4G072RR04
, 4G072RR21
, 4G072UU03
