特許
J-GLOBAL ID：200903097561197961

薄膜トランジスタ及びその作製方法

発明者：
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
山口 哲司

山口 哲司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302383
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140123
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】良好な特性を得ることができる薄膜トランジスタ及びその作製方法の提供、画素部及び駆動回路で各々所望の特性を有する薄膜トランジスタ及びその作製方法の提供を課題とする。【解決手段】本発明は、絶縁表面上に下部電極を形成し、前記下部電極と重なるように半導体を形成し、前記半導体上にゲート絶縁膜及び金属膜をスパッタリング法により連続的に形成し、前記金属膜をエッチングしてゲート電極を形成し、前記ゲート電極及びレジストマスクを用いて、前記半導体に不純物元素を添加し、前記ゲート絶縁膜及び前記不純物元素が添加された半導体にRTAを行うことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に下部電極を形成し、 前記下部電極と重なるように半導体を形成し、 前記半導体上にゲート絶縁膜及び金属膜をスパッタリング法により連続的に形成し、 前記金属膜をエッチングしてゲート電極を形成し、 前記ゲート電極及びレジストマスクを用いて、前記半導体に不純物元素を添加し、 前記ゲート絶縁膜及び前記不純物元素が添加された半導体にRTAを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
IPC (5件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/786
FI (6件)：
H01L29/78 617V ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 602B ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 617U
Fターム (135件)：
2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA11 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB43 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092MA20 ,  2H092MA22 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA12 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA07 ,  5F052JA02 ,  5F052JA04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA12 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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