特許
J-GLOBAL ID:200903097605553086
ウエーハの両面研磨装置及び両面研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-091087
公開番号(公開出願番号):特開2003-285264
出願日: 2002年03月28日
公開日(公表日): 2003年10月07日
要約:
【要約】【課題】 優れた応答性で定盤を変形させることによりウエーハ形状を制御でき、ウエーハ形状を悪化させることなく、高精度で安定して研磨を行うことができるウエーハの両面研磨装置及び両面研磨方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、ウエーハ保持孔を有するキャリアプレート、研磨布が貼付された上定盤及び下定盤、及びスラリー供給手段を有し、前記ウエーハ保持孔内にウエーハを保持して、スラリーを供給しながら、前記上下定盤間でキャリアプレートを運動させて、ウエーハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨装置において、前記上定盤の荷重支点を円で結んだ時の円の直径である上定盤荷重支点のPCDと、前記キャリアプレートの各保持孔の中心を円で結んだ時の円の直径であるキャリアプレートの保持孔中心のPCDとを一致させたものであることを特徴とするウエーハの両面研磨装置。
請求項(抜粋):
少なくとも、ウエーハ保持孔を有するキャリアプレート、研磨布が貼付された上定盤及び下定盤、及びスラリー供給手段を有し、前記ウエーハ保持孔内にウエーハを保持して、スラリーを供給しながら、前記上下定盤間でキャリアプレートを運動させて、ウエーハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨装置において、前記上定盤の荷重支点を円で結んだ時の円の直径である上定盤荷重支点のPCDと、前記キャリアプレートの各保持孔の中心を円で結んだ時の円の直径であるキャリアプレートの保持孔中心のPCDとを一致させたものであることを特徴とするウエーハの両面研磨装置。
IPC (4件):
B24B 37/04
, B24B 37/00
, H01L 21/304 622
, H01L 21/304
FI (4件):
B24B 37/04 F
, B24B 37/00 J
, H01L 21/304 622 G
, H01L 21/304 622 R
Fターム (9件):
3C058AA07
, 3C058AB01
, 3C058BA02
, 3C058BA07
, 3C058BB03
, 3C058BC01
, 3C058CB01
, 3C058DA06
, 3C058DA17
引用特許:
審査官引用 (5件)
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半導体ウェーハのケミカルラップ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-337075
出願人:三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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両面研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-008326
出願人:不二越機械工業株式会社
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ウェーハ研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-053581
出願人:株式会社スーパーシリコン研究所
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研磨装置及び研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-216238
出願人:スピードファム株式会社
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研磨装置及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-019020
出願人:信越半導体株式会社, 三益半導体工業株式会社
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