高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびIII族窒化物系トランジスタを作製する方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154406
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332367
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】高純度なチャネル層および高抵抗のバッファ層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】高電子移動度トランジスタ11は、窒化ガリウムからなる支持基体13と、第1の窒化ガリウム系半導体からなるバッファ層15と、第2の窒化ガリウム系半導体からなるチャネル層17と、第3の窒化ガリウム系半導体からなる半導体層19と、当該トランジスタ11のための電極構造(ゲート電極21、ソース電極23およびドレイン電極25)とを備える。第3の窒化ガリウム系半導体のバンドギャップは第2の窒化ガリウム系半導体のバンドギャップより大きい。第1の窒化ガリウム系半導体の炭素濃度NC1は4×1017cm-3以上である。第2の窒化ガリウム系半導体の炭素濃度NC2は4×1016cm-3未満である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムからなる支持基体と、前記支持基体上に設けられており第1の窒化ガリウム系半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられており第2の窒化ガリウム系半導体からなるチャネル層と、前記バッファ層上に設けられており、前記第2の窒化ガリウム系半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する第3の窒化ガリウム系半導体からなる半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極とを備え、前記第1の窒化ガリウム系半導体の炭素濃度は、4×1017cm-3以上であり、前記第2の窒化ガリウム系半導体の炭素濃度は、4×1016cm-3未満である、ことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/812 , H01L 21/338 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 B , H01L21/205

Fターム (24件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GR01 , 5F102GT01 , 5F102HC02 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-235336 出願人：日本電信電話株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-103002 出願人：古河電気工業株式会社
GaN系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-246113 出願人：古河電気工業株式会社

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