基板加熱装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：澤木誠一 , 澤木紀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-110482
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294717
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】従来の基板加熱装置は2インチ径といった大面積半導体基板を所望の温度速度で均一に加熱することができないという欠点があった。【解決手段】本発明の基板加熱装置は、真空チャンバ内に基板を取り付け、真空チャンバの外部から真空チャンバの窓を通して、高出力半導体レーザ光を基板に直接照射して基板を加熱し、基板上に膜を形成する成膜装置のための基板加熱装置であって、上記真空チャンバの窓を光学レンズとし、上記光学レンズにより上記レーザ光を平行光とする。また、上記光学レンズにより上記レーザ光を集光光とする。また、上記光学レンズにより上記レーザ光を拡散光とする。上記真空チャンバは放射温度計用の赤外線透過窓を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に基板を取り付け、真空チャンバの外部から真空チャンバの窓を通して、高出力半導体レーザ光を基板に直接照射して基板を加熱し、基板上に膜を形成する成膜装置のための基板加熱装置であって、上記真空チャンバの窓を光学レンズとし、上記光学レンズにより上記レーザ光を平行光としたことを特徴とする基板加熱装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/46 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L21/31 B , C23C16/46 , H01L21/02 Z

Fターム (11件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030KA24 , 4K030KA37 , 4K030LA02 , 5F045AA12 , 5F045AB31 , 5F045EC03 , 5F045EK12 , 5F045EK17 , 5F045GB05

引用特許：

出願人引用 (2件)

多結晶半導体層の製造方法及びレーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-047181 出願人：三洋電機株式会社
レーザ加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-258973 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (6件)

薄膜気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-357116 出願人：日新電機株式会社
熱処理装置および熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-265374 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
誘電体膜の処理装置及び誘電体膜の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-014601 出願人：株式会社小松製作所

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