発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219326
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063732
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】本発明は、輝度を高めることができる発光素子に関するものである。【解決手段】基板1の上にn層3、発光層4、p層5を順に積層し、p層5の上にPt層61とAg層62を積層した発光素子であって、Pt層61の膜厚を0.5nm〜5nmとした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光を透過可能な基板と、前記基板上に設けられたn層及びp層と、前記n層と前記p層の間に設けられた発光層と、前記n層と前記p層にそれぞれ設けられたn側電極とp側電極を有した発光素子であって、p側電極を少なくともp層側からPt層、Ag層順に積層した構成とするとともに、前記Pt層の膜厚を0.5nm〜5nmとしたことを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L21/28

FI (5件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01L21/28 E , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (23件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD35 , 4M104DD68 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH20 , 5F041AA04 , 5F041AA24 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA83 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-200298 出願人：株式会社東芝
III族窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056357 出願人：豊田合成株式会社
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-293673 出願人：スタンレー電気株式会社

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