特許
J-GLOBAL ID：200903040878578187
サブマウントボンディングのための修正を含む発光デバイス、および、その製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-516101
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537171
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
発光ダイオードは、基板と、基板上にある、ダイオード領域を含むエピタキシャル領域と、基板と反対側のエピタキシャル領域上にある多層導電性スタックとを有する。パッシベーション層は、少なくとも一部がエピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上に延び、エピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上にボンディング領域を画定すると共に、多層導電性スタックを跨いで、エピタキシャル領域を跨いで、基板上にも延在している。多層導電性スタックは、基板と反対側のエピタキシャル領域上のオーミック層と、エピタキシャル領域と反対側のオーミック層上の反射層と、オーミック層と反対側の反射層上のバリア層とを含むものであってもよい。また、反射層と反対側のスズバリア層上に接着層を設けたものであってもよい。さらに、スズバリア層と反対側の接着層上にボンディング層を設けたものであってもよい。サブマウントと、ボンディング層とサブマウントとの間にボンドを設けてもよい。
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上にある、ダイオード領域を含むエピタキシャル領域と、
前記基板と反対側のエピタキシャル領域上にある、バリア層を含む多層導電性スタックと、
少なくとも一部が前記エピタキシャル領域と反対側の前記多層導電性スタック上に延び、前記エピタキシャル領域と反対側の前記多層導電性スタック上にボンディング領域を画定し、さらに、前記多層導電性スタックを跨いで、前記エピタキシャル領域を跨いで、前記基板上にも延びているパッシベーション層と
を具えたことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA33
, 5F041AA43
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA92
, 5F041DA03
, 5F041DA09
