特許

J-GLOBAL ID：200903097914281163

直流または交流電界支援アニール

発明者： アーン・ダブリュー・バランタイン ,  ジョン・ジェイ・エリス=モナガン ,  フルカワ・トシハル ,  グレン・アール・ミラー ,  ジェームズ・エイ・スリンクマン ,  ジェフリー・ディー・ギルバート
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319888
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス内で所望の接合プロファイルを形成するための方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板内に少なくとも1つのドーパントを投入する。同時に半導体基板を電界に曝しながら半導体基板と少なくとも1つのドーパントをアニールすることにより、少なくとも1つのドーパントを半導体基板内に拡散する。

請求項（抜粋）：

半導体基板内で所望の接合プロファイルを形成するための方法であって、半導体基板内に少なくとも1つのドーパントを投入するステップと、半導体基板を直流または交流電界に曝しながら半導体基板をアニールすることにより少なくとも1つのドーパントを拡散するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 602 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/26

FI (3件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/22 E ,  H01L 21/26 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-216900   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-048735
  
• 特開平4-079215
  
• 特公昭44-030888
  
• 不純物の拡散方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035081   出願人：日本電気株式会社
• 半導体ウエーハ中の重金属不純物を除去する方法およびこの工程を有する半導体ウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055956   出願人：信越半導体株式会社