特許
J-GLOBAL ID:200903097918800688
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大田 優
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-157243
公開番号(公開出願番号):特開2002-351555
出願日: 2001年05月25日
公開日(公表日): 2002年12月06日
要約:
【要約】【課題】 装置の起動時間を短くすることができ、なおかつ装置形状を小さくすることができる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 フィルタ回路7a内に抵抗R5、R9の直列回路とトランジスタQ6を設け、抵抗R9の端子間電圧の変化を利用して装置の起動時にトランジスタQ6を介してコンデンサC1に充電電流を供給する。さらに、基準電圧源回路5a内に2つのダイオード機能素子としてのトランジスタQ4、Q5を設け、トランジスタQ4、Q5の各ベース、エミッタ間電圧VBE4、VBE5を利用して原基準電圧信号Vrefを得る。同時に、基準電圧源回路5aのトランジスタQ5のベース、エミッタ間電圧VBE5より、所定の温度特性を有する電圧信号VJを得る。
請求項(抜粋):
温度変化に対して高い安定度を有する基準電圧信号と所定の温度特性を有する電圧信号が同時に得られる基準電圧源回路と、容量素子と、装置の起動時において該容量素子に充電電流を供給するトランジスタとを有し、該基準電圧源回路の基準電圧信号の発生ポイントに接続されたフィルタ回路と、該フィルタ回路を介して該基準電圧源回路から該基準電圧信号の供給を受ける、制御機能を有する被保護回路と、該基準電圧信号に相当する電圧信号の供給を受けると共に、該所定の温度特性を有する電圧信号の供給を受け、当該2つの電圧信号の相対的な大きさに応じて該被保護回路の動作を停止させる過熱保護回路と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
G05F 1/56 310
, G05F 1/56
, G05F 1/56 320
FI (3件):
G05F 1/56 310 E
, G05F 1/56 310 B
, G05F 1/56 320 H
Fターム (12件):
5H430BB01
, 5H430BB05
, 5H430BB09
, 5H430BB11
, 5H430EE04
, 5H430FF04
, 5H430FF13
, 5H430GG04
, 5H430GG09
, 5H430HH03
, 5H430KK01
, 5H430LA21
引用特許:
審査官引用 (10件)
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安定化電源回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-153475
出願人:日本無線株式会社
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特開昭51-024743
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特開平2-306319
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安定化電源回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-286481
出願人:シャープ株式会社
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基準電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-308213
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-214664
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定電圧回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-154145
出願人:新日本無線株式会社
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電源回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-339752
出願人:ローム株式会社
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定電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-063031
出願人:沖電気工業株式会社
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レギュレータ回路及び半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-285647
出願人:富士通株式会社
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