マスクパターンの形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263502
公開番号（公開出願番号）：特開2000-098588
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】耐エッチング性に優れた微細なパターンを有するマスクパターンを形成すること。【解決手段】基板1上に単分子LB膜からなる超薄膜パターン2を形成し、次に基板1のエッチングに対して単分子LB膜よりも耐エッチング性が高いアモルファス性有機分子膜を真空蒸着し、そのアモルファス性有機分子膜が表面エネルギーの低い基板1の露出面に凝集することを利用することにより、超薄膜パターン2に対してネガ型のパターンを有する耐エッチングパターン3を形成する。

請求項（抜粋）：

被エッチング部材上に超薄膜からなる第1のパターンを形成する工程と、前記被エッチング部材のエッチングに対して前記第1のパターンよりも耐エッチング性が高く、かつ前記第1のパターンに対してポジ型またはネガ型のパターンを有する第2のパターンを前記被エッチング部材上に形成する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 7/16 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 L , G03F 7/16 , H01L 21/30 502 P

Fターム (14件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025DA13 , 2H025EA07 , 2H025FA40 , 2H095BB09 , 2H095BB10 , 2H095BB11 , 2H095BB15 , 2H095BC05 , 2H095BC08

引用特許：

審査官引用 (4件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211214 出願人：株式会社日立製作所
有機薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011030 出願人：株式会社東芝
特開昭62-293242

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