3族窒化物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-100155
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274372
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】3族窒化物半導体発光素子の発光の安定性を向上【構成】3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn伝導型のn層とp伝導型のp層とを少なくとも有した発光素子において、n層3の電極8として、n層8に接合するアルミニウム(Al)層81、その上に形成されたチタン(Ti)層82、その上に形成された金(Au)層83とを形成した。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn伝導型のn層とp伝導型のp層とを少なくとも有した発光素子において、前記n層の電極として、前記n層に接合するアルミニウム(Al)層、その上に形成されたチタン(Ti)層、その上に形成された金(Au)層とを形成したことを特徴とする発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭55-009442
特開平4-321279
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-313977 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

全件表示

前のページに戻る