特許
J-GLOBAL ID：200903098031301519
ショットキー接合形成用半導体基板、それを使用した半導体素子、およびショットキーバリアダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066980
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261006
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 順方向特性を犠牲にすることなく、優れた逆方向特性を備えたショットキー接合構造を有する半導体素子およびショットキーバリアダイオードと、これを形成するためのショットキー接合形成用半導体基板を提供する。【解決手段】 シリコン基板2上に不純物を含有するエピタキシャル層3が形成されたショットキー接合形成用半導体基板の前記エピタキシャル層3表面に金属層4が設けられたショットキーバリアダイオード1において、エピ層3の不純物の濃度は、表面から所定の深さまで一定であり、前記所定の深さからシリコン基板2に向かって徐々に大きくなり、シリコン基板2の近傍では、該基板2に向かって急激に大きくなる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体層上に特定の不純物を含有するエピタキシャル層が形成されたショットキー接合形成用の半導体基板において、前記エピタキシャル層の前記不純物の濃度は、該エピタキシャル層表面から所定の深さまで一定であり、該所定の深さから前記一導電型半導体層に向かって徐々に大きくなることを特徴とするショットキー接合形成用半導体基板。
Fターム (12件)：
4M104AA01
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104CC03
, 4M104DD28
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104FF31
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH20
