特許
J-GLOBAL ID:200903098109652429
薄膜素子の転写方法、製造方法、薄膜装置の製造方法及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-275566
公開番号(公開出願番号):特開2007-088235
出願日: 2005年09月22日
公開日(公表日): 2007年04月05日
要約:
【課題】 本発明は形状不安定性を持つ薄膜デバイスであっても、製造や出荷の取り扱いを容易にする薄膜デバイスの供給体およびその製造方法を提供することを目的とする。また本発明は柔軟性又は可撓性を有する基板上に被転写層を剥離転写する技術及び被転写層を柔軟性又は可撓性を有する基板上に剥離転写した後、被転写層上に表示装置を簡便に組み込む技術を提供することを目的とする。また、本発明はこのような剥離転写技術を利用して薄膜素子を製造する方法及びそれにより製造される電子機器を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、被転写層が永久接着剤層を介して最終転写基板に接合し、仮固定用接着剤を介し支持基板に固定されている状態で、被転写層表面に表示装置を組み込む工程を備えたことを特徴とする製造方法により上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
製造元基板上に形成された被転写層を柔軟性又は可撓性を有する転写体に転写する方法であって、
前記製造元基板上に被転写層を形成する第1工程と、
前記製造基板上に形成された前記被転写層を、永久接着剤を介して柔軟性又は可撓性を有する最終転写体に接合する第2工程と、
前記最終転写基板の裏面に仮固定用接着剤を介して支持基板を接合させる第3の工程と、
前記製造元基板から前記最終転写基板に前記被転写層を剥離転写する第4工程と、
を含むことを特徴とする薄膜素子の転写方法。
IPC (5件):
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/20
FI (4件):
H01L27/12 B
, H01L29/78 627D
, H01L21/20
, H01L21/02 C
Fターム (24件):
5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110CC04
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110QQ16
, 5F152LP01
, 5F152LP04
, 5F152LP06
, 5F152LP08
, 5F152LP09
, 5F152LP10
, 5F152MM01
, 5F152MM02
, 5F152MM03
, 5F152MM04
, 5F152NN14
, 5F152NN16
, 5F152NN19
, 5F152NN20
, 5F152NN30
, 5F152NQ01
引用特許:
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