特許
J-GLOBAL ID:200903098121432680
光電変換素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
梶山 佶是 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-283159
公開番号(公開出願番号):特開2001-110462
出願日: 1999年10月04日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】 多量の増感色素を担持し、優れた光電変換特性を有する光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記金属酸化物半導体層を構成する個々の金属酸化物半導体粒子の表面に増感色素を担持させる。
請求項(抜粋):
少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記金属酸化物半導体層を構成する個々の金属酸化物半導体粒子の表面に増感色素が担持されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
Fターム (8件):
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032EE02
, 5H032EE16
, 5H032EE17
引用特許:
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