特許
J-GLOBAL ID：200903098147535835

レーザダイシング方法

発明者：
河野 憲司

河野 憲司 について

, 
久野 耕司

久野 耕司 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について

, 
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076531
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258196
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】貼り合わせSOIウェハのレーザダイシングを行うにあたり、改質層の形成不良を好適に抑制することのできるレーザダイシング方法を提供する。【解決手段】SOI層10dの上表面に垂直な方向をエッチング方向として、該SOI層10dの外周縁を食刻(エッチング)する。その後、集光レンズ30にて集光されたレーザ光を、貼り合わせSOIウェハの割断予定線に沿った支持基板10aの内部に照射して改質層を形成する。このレーザ光の照射に際しては、SOI層10dの外周縁を境界Bとしてその外側のテラス領域ではその内側のSOI領域よりも集光レンズ30と支持基板10aの上表面との距離が補正量Hだけ縮小されるように同距離を補正する。こうして改質層が形成された後は、割断予定線に沿って貼り合わせSOIウェハを複数のチップに割断する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
支持基板の上表面に絶縁膜を介してシリコンウェハを貼り合わせるとともに、その貼り合わせたシリコンウェハを薄層化してSOI層を形成した貼り合わせSOIウェハをレーザダイシングする方法であって、 前記SOI層の外周側面を前記支持基板の上表面に垂直となるように加工する加工工程と、集光用光学素子にて集光されたレーザ光を前記貼り合わせSOIウェハの割断予定線に沿った前記支持基板の内部に照射して改質層を形成するレーザ光照射工程と、前記改質層の形成された前記割断予定線に沿って前記貼り合わせSOIウェハを複数のチップに割断する割断工程とを備え、 前記レーザ光照射工程での前記レーザ光の照射に際しては、前記SOI層の外周縁を境界としてその外周縁の外側の領域ではその内側の領域よりも前記集光用光学素子と前記支持基板の上表面との距離が縮小されるように同距離を補正する ことを特徴とするレーザダイシング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40
FI (5件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/00 D ,  B23K26/06 A ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40
Fターム (4件)：
4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CD01 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM