特許
J-GLOBAL ID：200903098158901698

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者：
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118852
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329886
出願日： 1994年07月06日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【目的】 活性層より均一な発光を得て、素子の光度、出力を向上させ、また発光素子のVfをさらに低下させて、発光効率を向上させる。【構成】 少なくともn型層が活性層と基板との間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層は基板側に形成された第一のn型層3と、その第一のn型層3に接して活性層5側に形成されて、第一のn型層3よりも電子キャリア濃度が大きい第二のn型層33とを含む。
請求項（抜粋）：
少なくともn型層が活性層と基板との間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層は基板側に形成された第一のn型層と、その第一のn型層に接して活性層側に形成されて、第一のn型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のn型層とを含み、その第二のn型層が少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体(In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N、0<X、0≦Y、X+Y≦1)よりなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB36 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (4件)
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