半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178462
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082781
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】微細化の妨げとなるリーク電流の増大を抑制できる、不純物拡散層を一方のキャパシタ電極とするキャパシタの形成方法を実現すること。【解決手段】まずシリコン基板1の表面に形成した自然酸化膜層2を除去し、次にシリコン基板1の表面に砒素を添加し、下部キャパシタ電極としてのn型不純物拡散層3を形成し、次にn型不純物拡散層3の表面に酸化膜を成長させずに、n型不純物拡散層3上にキャパシタ絶縁膜としてのシリコン窒化膜4を形成し、最後にシリコン窒化膜4上に上部キャパシタ電極5を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、前記半導体基板の表面に不純物を添加し、第1のキャパシタ電極としての不純物拡散層を形成する工程と、酸化膜が成長しない状態で、前記不純物拡散層上にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、前記キャパシタ絶縁膜上に第2のキャパシタ電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 21/318 M

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-173420
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-121030 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-189162 出願人：株式会社東芝

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