特許

J-GLOBAL ID：200903098177727038

金属配線のドライエッチング方法

発明者： 上田 靖彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273800
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097428
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造工程中の金属配線のドライエッチングにおいて、下地バリアメタルの張り出しを最小限に抑制すると共に、加工後の剥離残りも全く生じないようにした金属配線のドライエッチング方法の提供。【解決手段】アルミ合金膜のエッチングを塩素ガスに窒素を添加したプラズマで行い、その後のバリアメタルエッチングからオーバーエッチングまでを塩化水素ガスを含んだプラズマにより処理する。

請求項（抜粋）：

(a)窒素ガスを添加したプラズマでエッチングを行う第一の工程、(b)その後、塩化水素ガスを含んだ混合ガスを用いてエッチングする第二の工程、を含むことを特徴とするアルミ合金膜のドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/302 G ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 塩化水素、塩素含有エッチャントおよび窒素を使用するアルミニウムおよびその合金のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020506   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-184992   出願人：松下電子工業株式会社
• 積層配線のドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040100   出願人：ソニー株式会社