特許
J-GLOBAL ID：200903098179698175
半導体集積回路装置の製造方法およびマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242136
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068398
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路装置のパターンの変形や合わせずれ等のようなパターン異常を抑制または防止する。【解決手段】 マスクのパターンデータDBP と露光装置のレンズの収差データDBL とに基づいて光強度を計算した後(工程101)、その計算結果と、露光装置のレンズに収差が無いとして計算した光強度の計算結果とを比較し(工程102)、マスクのパターンデータのうち、許容値を上回るパターンについて上記比較結果に基づいて算出された補正量に従って許容値を超えないように補正する(工程104)。その補正後のマスクの作成データDBM を用いてマスクを製造した後、そのマスクを上記露光装置に装着して半導体ウエハ上に所定のパターンを転写するものである。
請求項（抜粋）：
(a)露光装置のレンズにおける波面収差データまたはそれと等価な収差データに基づいてマスクのパターンデータを自動的に補正する工程、(b)前記マスクのパターンデータに基づいてマスクを製造する工程、(c)前記(b)工程によって製造されたマスクのパターンを前記露光装置を用いて半導体ウエハ上に転写する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 502
H01L 21/30 516 A
, G03F 1/08 A
, G03F 7/20 502
, H01L 21/30 515 F
2H095BA02
, 2H095BA07
, 2H095BB01
, 2H095BB07
, 2H095BB14
, 2H097BA10
, 2H097CA13
, 2H097GB01
, 2H097LA10
, 5F046AA25
, 5F046BA04
, 5F046BA08
, 5F046CA04
, 5F046CA08
, 5F046DA13
, 5F046DD06
