不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山中郁生 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262882
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077282
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】読み出し動作において、記憶セル情報の読み出し経路における寄生素子成分の影響を排除した新規なメモリコア部の構成と、この構成に伴う新規なセンス手段を備えて高速センスが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供すること【解決手段】メモリコア部Aでは、選択された記憶セルがローカルビット線を介してグローバルビット線に選択され、隣接するグローバルビット線が非選択セクタ内のローカルビット線に接続される。コラム選択部Bでは、1対のグローバルビット線を1対のデータバス線に接続する。1対のデータバス線には、記憶セルからの経路上の寄生容量と同等の負荷を備えリファレンス側にリファレンス電流を流すロード部Cが接続され、記憶セル情報の電流とリファレンス電流とが電流比較部Dで比較されて差電流を出力する。隣接する1対の電流経路により経路負荷が同等になりノイズの影響も相殺されて、高速読み出しが可能となる。

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性記憶セルが接続されている、複数のローカルディジット線と、所定数の前記ローカルディジット線毎に備えられ、該ローカルディジット線が択一的に接続されるグローバルディジット線とを備える不揮発性半導体記憶装置において、記憶セル情報の読み出しの際、前記グローバルディジット線は、選択される前記不揮発性記憶セルが接続されている第1ローカルディジット線に接続される第1グローバルディジット線と、選択される前記不揮発性記憶セルが接続されず、非選択の前記不揮発性記憶セルのみが接続されている第2ローカルディジット線に接続される、前記第1グローバルディジット線と隣接する第2グローバルディジット線とを含み、前記第1及び第2グローバルディジット線を1対として、前記記憶セル情報の読み出しを行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/04

FI (4件)：

G11C 17/00 634 Z , G11C 17/00 634 E , G11C 17/00 636 B , G11C 17/00 624

Fターム (10件)：

5B025AA04 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD02 , 5B025AD07 , 5B025AD09 , 5B025AD12 , 5B025AD13 , 5B025AE05 , 5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-257876 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその副ビット線選択方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-220063 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-320416 出願人：株式会社東芝

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