特許
J-GLOBAL ID：200903098271441873
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-042114
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243058
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 InGaP層とその上層に形成した半導体層との界面におけるコンタクト抵抗を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上にエピタキシャル成長され、自然超格子が破壊されてIII族原子層面内におけるInとGaの配列が不規則となっているInGaP層20と、InGaP層20上にエピタキシャル成長されたInGaP層20と同一導電型の半導体層22とにより半導体装置を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にエピタキシャル成長され、自然超格子が破壊されてIII族原子層面内におけるInとGaの配列が不規則となっている領域を有するInGaP層と、前記InGaP層上にエピタキシャル成長された前記InGaP層と同一導電型の半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/205
, H01L 29/201
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/205
, H01L 29/201
, H01L 29/72
, H01L 29/80 H
