特許
J-GLOBAL ID：200903089608025924

化合物半導体結晶装置とその製造方法

発明者：
吉川 俊英

吉川 俊英 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104916
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306703
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体結晶装置とその製造方法に関し、GaAs等の成長基板にオフ角を付けることによって、その上に成長する化合物半導体層の転位を低減する場合でも、化合物半導体結晶装置の特性に悪影響を与えるようなマルチステップが生じないようにする手段を提供する。【構成】 GaAs基板1の上に、InGaP層4とGaAs層5、またはInGaP層とInGaAs層をMOVPEによって成長する際、このGaAs層またはInGaAs層を成長する時のV/III比を1〜5、もしくは100〜200とし、あるいは基板上に5000Å以内に1000Å以下のInGaPからなる薄層を成長し、あるいはGaAs層またはInGaAs層を6Å/s以上で成長することによって、その界面に5原子層以上のマルチステップを有する場合でも、その間隔を300nm以上にして、特性劣化がない電界効果またはバイポーラ化合物半導体結晶装置を実現する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板の上に、InGaAsからなる電子走行層と、InGaPからなる電子供給層と、GaAsからなるキャップ層を備え、該電子供給層と電子走行層のヘテロ界面に5原子層以上のマルチステップを有し、該マルチステップのステップ間隔が300nm以上であることを特徴とする電界効果化合物半導体結晶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/80 H
引用特許：
審査官引用 (6件)
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