特許
J-GLOBAL ID：200903049135186389

化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者：
和田 次郎

和田 次郎 について

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土屋 忠厳

土屋 忠厳 について

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坂口 春典

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出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112751
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298160
出願日： 1996年05月07日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 結晶性の良いInGaP/GaAsHBTのエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 HBTのエミッタ層15にn-InGaPを用いて成長する場合に、n-InGaPエミッタ層15の成長温度をp+ -GaAsベース層14の成長温度に合わせて、かつ連続して成長させる。そのためにエミッタ層15の成長は、成長温度をベース層14の500°C付近にして、低温での分解効率が良いターシャリーブチルホスフィン(TBP)を用いることにより、n-InGaPエミッタ層15にInのクラスターが無く、p+ -GaAsベース層14との界面付近に欠陥がない、特性の優れたHBTを提供することができる。
請求項（抜粋）：
複数の化合物半導体層を成長させて積層すると共にそのいずれか一層にIn及びPを含む層を成長させる化合物半導体結晶成長方法において、上記In及びPを含む層を、そのPの原料に450°C〜550°Cで50%以上分解する原料を用いて450°C〜550°Cで成長させることを特徴とする化合物半導体結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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