特許

J-GLOBAL ID：200903098285999800

縦型デバイスのための裏面オーミックコンタクトの低温形成

発明者： スレイター,デーヴィッド・ビー,ジュニアー
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570823
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525849
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】本発明は、複数のエピタキシャル層を有する半導体デバイスで用いるための金属・半導体オーミックコンタクトを形成する方法を含む。当該オーミックコンタクトは、好ましくは、エピタキシャル層の堆積後に形成する。また本発明は、複数のエピタキシャル層と、オーミックコンタクトとを含む半導体デバイスも含む。

請求項（抜粋）：

第一導電型を有する半導体基板の第一表面に選択ドーパント材料を注入する工程、当該注入ドーパントは半導体基板と同じ導電型を提供する; 注入ドーパント原子を活性化させ、且つ有効キャリヤー濃度を増大させるのに充分な温度及び時間で当該注入された半導体基板を最初にアニールする工程; 半導体材料の注入表面上に金属を堆積させる工程;及び、その後に、 当該基板上に配置された任意のエピタキシャル層の有意な劣化が起こると考えられる温度未満で、しかし当該注入された半導体材料と堆積された金属との間にオーミックコンタクトを形成するのに充分に高い温度で、当該金属と当該注入された半導体材料とを再度アニールする工程を含む、半導体デバイスのための金属・半導体オーミックコンタクトを形成する方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610

FI (6件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/042 610

Fターム (36件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104FF02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F073CA02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA12 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-507541   出願人：クリー・リサーチ・インコーポレーテッド, ノース・キャロライナ・ステイト・ユニバーシティ
• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-141337   出願人：富士電機株式会社
• SiCへの電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295576   出願人：新日本無線株式会社