特許
J-GLOBAL ID：200903098312536485

粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
大久保 恵介

大久保 恵介 について

, 
濱口 宏治

濱口 宏治 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  赤堀 龍吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-196668
公開番号（公開出願番号）：特開2007-016074
出願日： 2005年07月05日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 反りが十分小さくシート品として提供可能であるとともに、ダイシング・ダイボンディングテープとして優れた機能を発揮できる粘接着シート、その製造方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 粘接着シートは、支持基材と、支持基材上に設けられた粘接着層とを備え、支持基材及び粘接着剤層は所定温度T1の熱履歴を受けることにより互いが貼り付けられている粘接着シートであって、支持基材が、50mN/m以下の表面自由エネルギー、及び、25°Cにおいて2000MPa以下の弾性率を有し、且つ、支持基材の所定温度T1(°C)における線膨張係数をα1(ppm/°C)、支持基材の常温T2(°C)における線膨張係数をα2(ppm/°C)とした場合、下記一般式(I)を満たすものである。[(T1×α1)-(T2×α2)]≦7000ppm ...(I)【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基材と、該支持基材上に設けられた粘接着層と、を備え、 前記支持基材及び前記粘接着剤層は所定温度T1(°C)の熱履歴を受けることにより互いが貼り付けられている粘接着シートであって、 前記支持基材が、50mN/m以下の表面自由エネルギー、及び、25°Cにおいて2000MPa以下の弾性率を有し、且つ、 前記支持基材の前記所定温度T1(°C)における線膨張係数をα1(ppm/°C)、前記支持基材の常温T2(°C)における線膨張係数をα2(ppm/°C)とした場合、下記一般式(I)を満たすものである、粘接着シート。 [(T1×α1)-(T2×α2)]≦7000ppm ...(I)
IPC (7件)：
C09J 7/02 ,  C09J 4/06 ,  C09J 11/06 ,  C09J 161/06 ,  C09J 163/00 ,  C09J 201/00 ,  H01L 21/301
FI (7件)：
C09J7/02 Z ,  C09J4/06 ,  C09J11/06 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/78 M
Fターム (24件)：
4J004AA01 ,  4J004AA02 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA17 ,  4J004AB07 ,  4J004CA06 ,  4J004CC02 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040EB052 ,  4J040EC001 ,  4J040EC002 ,  4J040EC231 ,  4J040EC232 ,  4J040FA001 ,  4J040FA002 ,  4J040FA131 ,  4J040FA132 ,  4J040JA09 ,  4J040JB08 ,  4J040KA13 ,  4J040KA16 ,  4J040NA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM