特許

J-GLOBAL ID：200903098329638966

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 西川 尚男 ,  下田 達也 ,  岩佐 義宏 ,  竹延 大志 ,  小林 慎一郎 ,  三谷 忠興
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193110
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032774
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】有機半導体薄膜を形成する材料を変更しなくても、容易に閾値電圧を制御できる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタは、ゲート電極12、ゲート絶縁膜14、ソース電極16、ドレイン電極18、有機半導体膜20とを有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜14と有機半導体薄膜20との間に閾値電圧制御膜22を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜と、 を有する有機薄膜トランジスタであって、 前記ゲート絶縁膜と前記有機半導体薄膜との間に閾値電圧制御膜を有する、有機薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28

Fターム (22件)：

5F110AA08 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (3件)

• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-055997   出願人：株式会社日立製作所
• 有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-122623   出願人：パイオニア株式会社
• 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-179468   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Organic Thin-Film Transistors for Organic Light-Emitting Flat-Panel Display Backplanes