特許
J-GLOBAL ID：200903098331104219
電流制御回路及びこれを有する不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147641
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340592
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 各メモリ・セルに流れるソース電流を適切に制御することで、各メモリ・セルの消去条件が実質的に同一となり、消去動作及び半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置のメモリ・セルに流す電流を制御する電流制御回路12において、メモリ・セルの消去動作時に各メモリ・セルに流す電流の値を許容範囲内に制御する回路(RM)を有する電流制御回路。
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体記憶装置のメモリ・セルに流す電流を制御する電流制御回路において、メモリ・セルの消去動作時に各メモリ・セルに流す電流の値を許容範囲内に制御する回路を有することを特徴とする電流制御回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 633 E
, G11C 17/00 612 F
