特許

J-GLOBAL ID：200903098338044386

半導体素子及びシリコン酸化窒化膜の製造方法

発明者： 大見 忠弘 ,  上田 直樹
出願人/特許権者： 大見 忠弘 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360865
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193412
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】非水平面、水平面、及び非水平面と水平面をつなぐ連結領域からなる段差を備える3次元形状基板に形成される半導体素子において、非水平面と連結領域の界面準位の存在により生じるキャリアの移動度の低下や、閾値電圧変動など、半導体素子特性の深刻な影響を解決することを課題とする。【解決手段】段差上のゲート絶縁膜の少なくとも一部に1010cm-2以上の面密度の希ガス元素を含有するシリコン酸化窒化膜を含ませることにより上記課題を解決する。【選択図】 図36

請求項（抜粋）：

非水平面、水平面、及び非水平面と水平面をつなぐ連結領域からなる段差を備えるシリコン系半導体基板と、前記段差の少なくとも一部に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とからなり、ゲート絶縁膜が、少なくとも一部に1010cm-2以上の面密度の希ガス元素を含有するシリコン酸化窒化膜で全体又は一部を構成することを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L21/318 C ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 301V ,  H01L29/78 658F

Fターム (29件)：

5F058BC11 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BB02 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BC06 ,  5F140BD09 ,  5F140BD17 ,  5F140BE06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BG27 ,  5F140BG38 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BH05 ,  5F140BH26 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-079908   出願人：三菱電機株式会社
• トレンチ構造を有する半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-186603   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-094245   出願人：大見忠弘
• 111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-376170   出願人：大見忠弘