半導体モジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352647
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158322
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子からの放熱により絶縁基板の温度が上昇した場合にも、十分な冷却効果が維持できる半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体素子10を冷却するヒートシンク部1を備えた半導体モジュール100であって、冷却水で満たされる凹部5を表面に有するヒートシンク部1と、裏面に開口した中空部30を有し、該ヒートシンク部の該表面上に該裏面が載置されたケース部2と、表面に半導体素子10が載置された絶縁板6とを含み、該中空部の開口面31を囲む該ケース部2の該裏面に該絶縁板6の外縁部が接合されて、該中空部30内に該半導体素子10が封止され、該凹部5内に該冷却水が導入されることを特徴とする半導体モジュール100。

請求項（抜粋）：

半導体素子を冷却するヒートシンク部を備えた半導体モジュールであって、冷却水で満たされる凹部を表面に有するヒートシンク部と、裏面に開口した中空部を有し、該ヒートシンク部の該表面上に該裏面が載置されたケース部と、表面に半導体素子が載置された絶縁板とを含み、該中空部の開口面を囲む該ケース部の該裏面に該絶縁板の外縁部が接合されて、該中空部内に該半導体素子が封止され、該凹部内に該冷却水が導入されることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/473 , H05K 7/20

FI (2件)：

H05K 7/20 P , H01L 23/46 Z

Fターム (13件)：

5E322AA01 , 5E322AA05 , 5E322AB01 , 5E322AB07 , 5E322AB08 , 5E322FA01 , 5F036AA01 , 5F036BA10 , 5F036BB01 , 5F036BB05 , 5F036BB41 , 5F036BB45 , 5F036BC22

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-081171 出願人：富士電機株式会社
液冷回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-323015 出願人：株式会社デンソー
電力用半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-102815 出願人：株式会社三社電機製作所

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