半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282870
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁耐圧の向上を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】nシリコン基板101にストライプ状のトレンチ123を形成する。このトレンチ123の両端部は、徐々に狭くなる形状となっている。トレンチ123を挟んでpウエル領域121を形成し、pウエル領域121の表面層にトレンチ123を挟んでnソース領域122を形成し、トレンチ123の側壁および底面に厚みがW1のゲート酸化膜118aを形成し、トレンチ123の端部が徐々に狭くなっている箇所の先端付近に厚い膜厚(W2)のゲート酸化膜118bを形成する。トレンチ123にゲート酸化膜118a、118bを介してポリシリコンを充填してゲート電極119aを形成し、またトレンチ123の長手方向の端部側に、ゲート酸化膜118bおよび絶縁用酸化膜118cを介してポリシリコンでゲート配線引出し部であるゲートパッド119bを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された細長のトレンチと、該トレンチ内面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成され、前記トレンチ内に充填されたゲート電極とを具備する半導体装置において、前記トレンチの平面形状は、同一の幅を有する第1箇所と、端部が徐々に狭くなっている第2箇所から構成され、前記ゲート絶縁膜の内、第1箇所に形成される第1ゲート絶縁膜の厚みより第2箇所に形成される第2ゲート絶縁膜の厚さを厚くすることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 658 D

Fターム (16件)：

5F140AA19 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BD05 , 5F140BD18 , 5F140BE03 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BF51 , 5F140BF58 , 5F140BG28 , 5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-032617 出願人：株式会社デンソー
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-071176 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-157108 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-032617 出願人：株式会社デンソー
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-071176 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-157108 出願人：株式会社東芝

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