特許

J-GLOBAL ID：200903098438986761

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮川 一弘 ,  安平 光雄 ,  赤坂 泰志 ,  西村 勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-192418
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026586
出願日： 2003年07月04日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるCMP工程において、ディッシングが発生しないようにする。【解決手段】ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲート形成位置以外の位置14に、ダミーゲート12aを追加して配置することにより、ゲートパターン密度の偏りを小さくする。あるいはダミーゲート12aの代わりにインターフェーストランジスタ、あるいはアナログ回路用容量の電極を配置することにより、ゲートパターン密度の偏りを小さくする。【選択図】 図12

請求項（抜粋）：

ダマシン型ゲート構造或いはリプレース型ゲート構造の半導体素子を複数設けてなる半導体装置において、前記半導体素子間の素子形成領域以外の領域に、ダミーパターンを設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L21/8234 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (9件)：

H01L27/08 102C ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301P ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/04 C ,  H01L21/88 S

Fターム (106件)：

4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG19 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033TT08 ,  5F033VV01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX31 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038CA07 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE01 ,  5F048BE03 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F140AA14 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE03 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BG02 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG14 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH34 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273417   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-370113   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置、その製造方法およびダミー領域の配置方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-100437   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-092838   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-244347   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087651   出願人：株式会社東芝