特許

J-GLOBAL ID：200903018476847186

半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉 村 尚 郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273417
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102443
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ダマシンゲートプロセスに対応できる複数種類の高誘電体絶縁膜を有するLSIを実現し、併せて広いゲート間隔で高精度の抵抗を得ることを可能にする。【解決手段】 比較的高い電圧を供給される、高電圧用N- MOSn- 層12、高電圧用P- MOSp- 層13で構成される高電圧MOSFET部と、低電圧用N- MOSn- 層14、低電圧用P- MOSp- 層15で構成される低電圧MOSFET部と、を同一基板上に形成する半導体装置において、高電圧MOSFET部におけるゲート領域に形成される、単位面積当りの容量が比較的小さな、バッファ酸化膜2とポリシリコン層の2層構造からなる第1の絶縁膜層と、低電圧MOSFET部におけるゲート領域に形成される、単位面積当りの容量が比較的大きな、No酸化膜24とTa2 O5 膜25からなる第2の絶縁膜層と、により半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

第1のMOSFETと、それよりも低い電源電圧が供給される第2のMOSFETとを有し、前記第1のMOSFETにおける第1のゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜を有するものとして構成され、前記第2のMOSFETにおける第2のゲート絶縁膜は、タンタル酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナ等の高誘電体膜を有するものとして、前記第1のゲート絶縁膜よりもキャパシタンスの大きいものとして構成され、且つこれのゲート電極はチタン窒化物及びタングステン窒化物等の金属によって構成されている、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 S

Fターム (86件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH05 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK25 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX33 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EH02 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA02 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FB05 ,  5F040FC10 ,  5F040FC19 ,  5F040FC22 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG32 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-185453   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-185116   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-042056   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-339454   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Work function controlled metal gate electrode on ultrathin gate insulators