窒化物半導体の発光素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031298
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223441
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 GaNを採用した半導体発光素子において多くのキャリア注入によって発生するキャリアオーバーフローおよびストレインを減らすための手段を具備する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 AlGaN/GaNの二重層が複数回積層された多重量子障壁あるいはAlGaN/InGaNの二重層が複数回積層されたストレイン補償の多重量子障壁を活性層の上部および下部のうち選択された何れか一側に具備し、またp型クラッド層が不要である。

請求項（抜粋）：

0<x<1とする時、GaN系の化合物半導体よりなる活性層と、前記活性層の上部および下部に各々Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N層とGaN層の二重層を少なくとも2回以上繰り返して積層してエネルギーバンドが複数個の多重量子障壁構造を有するように前記活性層の上部および下部のうち少なくともいずれか一側に形成された多重量子障壁層とを具備することを特徴とする多重量子障壁を有する窒化物半導体の発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-045292 出願人：株式会社東芝
特開平4-114486
GaN系発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-311441 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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