特許
J-GLOBAL ID：200903098582604997

感光性化合物、感光性組成物、レジストパターンの形成方法及び基板の加工方法

発明者：
伊藤 俊樹

伊藤 俊樹 について

, 
山口 貴子

山口 貴子 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-027368
公開番号（公開出願番号）：特開2008-013745
出願日： 2007年02月06日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】低ラインエッジラフネス(LER)なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される構造単位を、分子内に2つ以上含む感光性化合物、該感光性化合物を有機溶剤に溶解させてなる感光性組成物及び該感光性組成物を用いたレジストパターンの形成方法。(R1は水素原子またはアルキル基である。R2、R3、R4、R5およびR6のうち少なくとも1つはニトロ基である。R7は置換されていてもよいフェニレン基またはナフチレン基である。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される構造単位を、分子内に2つ以上含むことを特徴とする感光性化合物。
IPC (6件)：
C08F 8/30 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08G 8/28 ,  C08F 12/24 ,  C07C 205/37
FI (6件)：
C08F8/30 ,  G03F7/039 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08G8/28 Z ,  C08F12/24 ,  C07C205/37
Fターム (48件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025DA40 ,  2H025FA17 ,  2H025FA40 ,  2H025FA41 ,  2H025FA43 ,  2H025FA44 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H006AB78 ,  4J033CA02 ,  4J033CA05 ,  4J033CA07 ,  4J033CA11 ,  4J033CA12 ,  4J033CA13 ,  4J033CA14 ,  4J033CA19 ,  4J033CA20 ,  4J033CA42 ,  4J033CA46 ,  4J033CD04 ,  4J033HB10 ,  4J100AB07P ,  4J100BA02H ,  4J100BA03P ,  4J100BA04H ,  4J100BA05H ,  4J100BA06H ,  4J100BA41H ,  4J100BC43H ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA31 ,  4J100DA04 ,  4J100HA19 ,  4J100HA61 ,  4J100HC05 ,  4J100HE14 ,  4J100HE32 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (15件)
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